Чудо  - Рациональность - Наука - Духовность

Клуб Исследователь - главная страница

ЖИЗНЕННЫЙ ПУТЬ - это путь исследователя, постигающего тайны мироздания

Чем больше знаешь, тем больше убеждаешься что ни чего не знаешь...

Главная

Библиотека

О клубе
ГАИ "Алтай-Космопоиск"
Путеводитель по Алтаю
Маршруты (походы)
   Туризм

X-files

Наука и технологии

Техника и приборы

Косморитмодинамика

Новости

Фотоальбомы

Видеоальбомы

Карты (треки)

Прогноз погоды

Контакты

Форум

Ссылки, баннеры

 

Наш сайт доступен

на

52 языках

 

 
Если вам понравился сайт, то поделитесь со своими друзьями этой информацией в социальных сетях, просто нажав на кнопку вашей сети.
 
 
 
 
 
  Locations of visitors to this page
LightRay Рейтинг Сайтов YandeG Яндекс цитирования Яндекс.Метрика

 

Besucherzahler

dating websites

счетчик посещений

russian brides

contador de visitas

счетчик посещений

 

 

Здесь

может быть ваша реклама.

 

Наука и технологии

Виртуальный фонд естественнонаучных и научно-технических эффектов "Эффективная физика"
А  Б  В  Г  Д  Е  Ж  З  И  Й  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Ы  Э  Ю  Я   По связи разделов
Дембера эффект
Возникновение электрического поля в однородном полупроводнике при его неравномерном освещении

Анимация

Описание

Эффектом Дембера называется возникновение фотоэдс между освещенной и неосвещенной частями поверхности однородной по всему объему полупроводниковой пластины при облучении ее светом, спектральный состав которого лежит в области собственного поглощения полупроводника

Количественной характеристикой эффекта является величина напряженности  Eэлектрического поля в полупроводнике. Это поле возникает в результате облучения полупроводника, сильно поглощающего свет, через прозрачный электрод A, показанный на рис. 1.

 

Возникновение электростатического поля в полупроводнике при его пространственно-неоднородном освещении

 

 

Рис. 1

 

Под действием квантов света на поверхности проводника образуются избыточные электроны и дырки. Они, в свою очередь, диффундируют вглубь образца в положительном направлении оси y. Т. к. коэффициенты диффузии электронов DE и дырок DH различны, то в полупроводнике возникает электрическое поле, которое связано с градиентом концентрации  фотоносителей. Эта связь описывается  формулой:

 

,

 

где n0 и p0 - темновые концентрации электронов и дырок в полупроводнике. 

 

Электрическое поле ED замедляет наиболее подвижные носители (электроны) и ускоряет менее подвижные (дырки). В результате установления диффузно-дрейфового равновесия разделение зарядов прекращается, а между освещенными и затемненными участками возникает фотоэдс. Фотоэдс Дембера имеет максимальное значение, если характерная длина поглощения света в полупроводниках оказывается существенно меньше диффузионной длины носителей заряда. Эффект Дембера не имеет практического значения из-за малости фотоэдс и используется в основном для исследования полупроводников. Измерение фотоэдс между электродами на рис. 1 практически не возможно, т. к. доминирующий вклад в него вносит вентильная эдс на электроде A. Исключением является поперечная эдс Дембера в анизотропных кристаллах, которая создается электрическим полем , перпендикулярным градиенту концентрации. Она возникает, если образец вырезан под углом к кристаллографическим осям, и измеряется электродами, приложенными к противоположным боковым поверхностям образца полупроводника на рис. 1. В этом случае величина эдс равна .

Эффект открыл немецкий физик Х. Дембер (H. Dember) в 1931 г.

Временные характеристики

Время инициации (log to от -10 до -5);

Время существования (log tc от 15 до 15);

Время деградации (log td от -10 до -5);

Время оптимального проявления (log tk от -7 до -7).

Диаграмма:

Технические реализации эффекта

Техническая реализация эффекта Дембера

Простейшая техническая реализация эффекта Дембера состоит в измерении напряжения между омическими контактами А и В полупроводникового образца при его освещении в геометрии рис. 1.

Применение эффекта

Эффект Дембера не используется в технике. Он используется в исследованиях физических свойств полупроводников. Техническое приложение эффекта Дембера не реализовано в силу малости фотоэдс и невозможности его прямого измерения, т. к. его невозможно отделить от вентильной фотоэдс.

Литература

 1. Физическая энциклопедия.- М.: Советская энциклопедия, 1988.- С.582-583.

 2. Энциклопедический словарь. Электроника.- М.: Советская энциклопедия, 1991.- С.110, 592.

 3. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы.- М.: Энергоатомиздат, 1990.- С.409.

 4. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.- М.: Наука, 1990.- С.355.

Ключевые слова

  • полупроводник
  • фотоэдс
  • генерация носителей заряда
  • электрическое поле
  • поперечное электрическое поле
  • электрон
  • дырка
  • диффузия электронов
  • диффузия дырок
  • фотоэдс Дембера
  • эффект Дембера

Разделы естественных наук:

Полупроводники
Твердые тела
Электрическое поле

Формализованное описание Показать